三星电子启动HBM4内存量产，引领行业新高度。
2月12日消息，北京时间今日下午，三星电子通过新闻稿宣布：HBM4内存已正式开始量产，并向客户交付商用产品。
获悉，三星已率先实现HBM4的商业化交付，成为行业内首家完成该技术落地的企业。 作为行业观察者，这一进展标志着三星在高性能计算芯片领域再次占据先机，展现了其在先进封装技术上的持续领先优势。随着人工智能、高性能计算等应用对内存带宽需求的不断提升，HBM4的商业化将为相关产业带来更强大的算力支撑，也预示着未来半导体竞争格局将进一步加速演变。
根据官方介绍，三星此次直接采用第六代10nm级DRAM工艺（1c），并融合4nm逻辑制程，从量产初期就实现了稳定的良率和行业领先的性能表现，且无需进行额外的重新设计。
三星电子执行副总裁兼存储开发负责人黄相俊（音译）表示，公司并未沿用既有成熟设计，而是选择在 HBM4 上直接采用 1c DRAM 与 4nm 逻辑工艺。凭借制程优势与设计优化能力，公司预留了充足性能空间，可在客户需要时满足其不断升级的高性能需求。
性能方面，HBM4在稳定处理速度上达到11.7Gbps，相较于行业主流水平的8Gbps，提升了约46%。相比上一代HBM3E的最高9.6Gbps，HBM4的性能提升约1.22倍，且最高性能可扩展至13Gbps，以应对AI模型不断扩张所带来的数据传输瓶颈。单堆栈内存带宽也提升至最高3.3TB/s，较HBM3E提高了2.7倍。 从技术演进角度看，HBM4的突破不仅体现了半导体行业在高带宽内存领域的持续进步，也为未来更复杂、更大规模的AI应用提供了更强的底层支持。随着AI算力需求的快速增长，内存带宽的提升成为关键瓶颈之一，HBM4的性能跃升无疑为这一领域注入了新的动力。
三星通过 12 层堆叠技术提供 24GB 至 36GB 规格，并计划通过 16 层堆叠技术将容量扩展至 48GB，以匹配客户未来需求节奏。
随着I/O引脚数量从1024增加到2048，带来的功耗和散热压力显著上升，三星在核心芯片中引入了低功耗设计。与HBM3E相比，HBM4的功耗效率提升了40%，热阻增加了10%，散热性能提高了30%。其核心技术包括低电压TSV方案和PDN优化。
三星表示，HBM4 在性能、能效与可靠性方面的提升，将帮助数据中心客户提高 GPU 吞吐能力，并优化整体拥有成本。
在制造层面，三星将凭借其在DRAM领域的产能优势以及专用基础设施，保障在HBM4需求持续增长背景下的供应链稳定。 作为行业观察者，我认为这一举措反映出三星在高性能计算和人工智能等前沿领域布局的深远考量。随着HBM4技术逐步进入规模化应用阶段，供应链的稳定性将成为决定市场竞争力的关键因素。三星通过强化自身产能和基础设施，不仅有助于提升产品交付能力，也为应对未来可能出现的供需波动做好了准备。这种前瞻性的战略部署，或将为其在高端存储市场中赢得更多主动权。
三星还计划加强与全球GPU厂商及超大规模数据中心客户的合作，重点聚焦于下一代ASIC产品的研发。
公司预计，2026年HBM的销售规模将比2025年增长超过三倍，并加快扩展HBM4的产能。HBM4E预计将在2026年下半年开始送样，定制版的HBM样品则计划在2027年依据客户要求陆续推出。
